氮化物系半导体激光器元件
文献类型：专利
| 作者 | 久纳康光 |
| 发表日期 | 2012-08-01 |
| 专利号 | CN102623892A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物系半导体激光器元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体激光器元件，其具备基板和半导体元件层，该半导体元件层具有活性层且形成在基板的主表面上。半导体元件层包括：具有晶体生长面在沿[11-20]方向的方向上大致不具有偏倾角度的第一主表面的第一区域；和具有晶体生长面在沿[11-20]方向的方向上具有偏倾角度的第二主表面的第二区域。而且，在半导体元件层的第一区域上形成有脊部(3)。 |
| 公开日期 | 2012-08-01 |
| 申请日期 | 2011-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久纳康光. 氮化物系半导体激光器元件. CN102623892A. 2012-08-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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