用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 克里斯托夫·艾克勒; 森克·陶茨 |
| 发表日期 | 2014-07-09 |
| 专利号 | CN103918142A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，其具有下述步骤：在生长衬底(3)上外延地生长具有有源层的半导体层序列(2)；在半导体层序列(2)和生长衬底(3)上成形正面小平面(4)；借助用于在制成的半导体构件(1)中产生的辐射(R)的阻光层(5)对正面小平面(4)的一部分进行覆层，其中阻光层(5)借助定向的覆层方法来生成并且在覆层时借助于通过生长衬底(3)和/或通过至少一个遮光条(6)的遮蔽来进行对阻光层(5)的结构化，所述遮光条设置在生长衬底(3)上和/或附近。 |
| 公开日期 | 2014-07-09 |
| 申请日期 | 2012-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65568]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯托夫·艾克勒,森克·陶茨. 用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体激光器. CN103918142A. 2014-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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