硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 袁丽君; 于红艳; 周旭亮; 王火雷; 潘教青 |
| 发表日期 | 2013-03-06 |
| 专利号 | CN102957095A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法，包括：在SOI片顶层硅层上制作取样光栅；在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度相同的硅波导和两侧的硅挡墙；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，硅挡墙和金属层之间为过量金属容纳区，形成SOI波导结构；在一P衬底上采用MOCVD的方法，生长III-V族半导体激光器阵列结构，该III-V族半导体激光器阵列结构中的每个激光器与每个硅波导相对应；在III-V族半导体激光器阵列结构的N面制作金属电极，并在金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口；在P衬底的背面制作金属电极，形成键合激光器阵列结构；将SOI波导结构和键合激光器阵列结构，采用倒扣选区金属键合的方法，键合到一起，完成多波长硅基混合激光器阵列的制备。 |
| 公开日期 | 2013-03-06 |
| 申请日期 | 2012-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65608]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁丽君,于红艳,周旭亮,等. 硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法. CN102957095A. 2013-03-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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