半导体激光器及电子设备
文献类型：专利
| 作者 | 竹冈忠士 |
| 发表日期 | 2008-04-23 |
| 专利号 | CN101165980A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及电子设备 |
| 英文摘要 | 本发明涉及在半导体衬底上依次形成下侧包层、活性层、上侧包层的半导体激光器及应用这种半导体激光器的电子设备。本发明的一种实施方式的半导体激光器，在半导体衬底上依次形成有第一导电型的下侧包层、包含量子阱层的活性层及第二导电型的上侧包层。所述下侧包层的掺杂剂浓度为4.0×1017/cm3以下，谐振器长度为1500μm以上。 |
| 公开日期 | 2008-04-23 |
| 申请日期 | 2007-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65684]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹冈忠士. 半导体激光器及电子设备. CN101165980A. 2008-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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