一种半导体激光器芯片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 周立; 潘之炜; 郭栓银; 谭少阳; 吴涛 |
| 发表日期 | 2017-02-22 |
| 专利号 | CN106451075A |
| 著作权人 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。所述制备方法先将半导体激光器芯片靠近腔面处的高掺杂低阻层腐蚀出一条平行于腔面的沟槽；在沟槽及边缘区域制作SiO2绝缘层，在高掺杂低阻层再制作P面金属层且P面金属层覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处，而是在沟槽处被阻挡。本发明制作的半导体激光器芯片从器件工艺结构角度出发，通过减少腔面附近注入载流子浓度，可减少非辐射复合吸收，达到提高COMD发生电流的效果，能抑制半导体激光器的腔面注入电流密度过大的缺陷。 |
| 公开日期 | 2017-02-22 |
| 申请日期 | 2016-10-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65701]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周立,潘之炜,郭栓银,等. 一种半导体激光器芯片及其制备方法. CN106451075A. 2017-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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