一种用少层黑磷的不同堆垛结构实现激光半导体的方法
文献类型：专利
| 作者 | 雷双瑛; 沈海云; 黄兰 |
| 发表日期 | 2016-11-16 |
| 专利号 | CN106129811A |
| 著作权人 | 东南大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种用少层黑磷的不同堆垛结构实现激光半导体的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种用少层黑磷的不同堆垛结构的半导体激光器及制备方法。利用单层黑磷和三层黑磷的A δ结结构可构成I型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、材料生长缓冲层(3)、下包覆层(4)、有源层(5)、上包覆层(6)和上电极(7)。本发明形成的异质结为同种材料的不同堆垛结构形成的双异质结。相比不同材料构成的异质结，本发明用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单。本发明通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的少层黑磷。 |
| 公开日期 | 2016-11-16 |
| 申请日期 | 2016-07-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65721]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 东南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷双瑛,沈海云,黄兰. 一种用少层黑磷的不同堆垛结构实现激光半导体的方法. CN106129811A. 2016-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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