芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法
文献类型：专利
| 作者 | 童利民; 马哲; 张奚宁; 郭欣; 杨青; 马耀光 |
| 发表日期 | 2011-03-16 |
| 专利号 | CN101986175A |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，该方法将金属纳米线放置于激光二极管芯片的出光面，激发表面等离子体在金属纳米线中传输。本发明使得光源与等离子体波导直接在芯片上集成，从而省去了传统表面等离子体激发方法中的透镜、棱镜等耦合装置，该结构中金属纳米线的输出为线偏振光，可通过调节纳米线的方向调节光强输出。 |
| 公开日期 | 2011-03-16 |
| 申请日期 | 2010-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65722]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 童利民,马哲,张奚宁,等. 芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法. CN101986175A. 2011-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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