一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构
文献类型：专利
| 作者 | 安宁; 刘国军; 刘超; 李占国; 刘鹏程; 何斌太; 常量; 马晓辉; 席文星 |
| 发表日期 | 2016-01-27 |
| 专利号 | CN105281201A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构 |
| 英文摘要 | 一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外半导体激光器的外延结构,涉及半导体激光器外延技术领域。包括GaSb衬底、缓冲层、n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、电子阻挡层和p型限制层，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层，所述电子阻挡层导带电势高于p型限制层导带电势。同现有技术相比，本发明能够减少量子阱内的Auger复合，抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出，有效地提高GaSb基中红外半导体激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2016-01-27 |
| 申请日期 | 2014-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65724]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安宁,刘国军,刘超,等. 一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构. CN105281201A. 2016-01-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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