一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 袁诗鑫; 李杰; 彭中灵; 陈新禹; 俞锦陛; 郭世平; 乔怡敏; 于梅芳; 谢钦熙 |
| 发表日期 | 1993-09-01 |
| 专利号 | CN1075831A |
| 著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及 其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法 生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子 层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组 成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成 的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激 光器性能。在n区夹一层50纳米的 Zn1-xCdzSySc1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高 空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层 掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。 |
| 公开日期 | 1993-09-01 |
| 申请日期 | 1992-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65732]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁诗鑫,李杰,彭中灵,等. 一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法. CN1075831A. 1993-09-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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