一种用于半导体激光器的金属键合方法及其半导体激光器
文献类型:专利
作者 | 刘兴胜![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2017-04-05 |
专利号 | CN106558831A |
著作权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种用于半导体激光器的金属键合方法及其半导体激光器 |
英文摘要 | 本发明公开一种用于半导体激光器的金属键合方法及其半导体激光器,使用本发明的半导体激光器用金属键合法方法制备的半导体激光器可靠性高,缺陷少,通过施加热加压保压使得半导体激光器芯片上的金属键合媒介层与散热器表面的关键层形成合金相结构,达到半导体激光器芯片和散热器结合紧密的目的,降低了空洞等缺陷,在进行金属键合时,需求温度低于关键层材料熔点以下,可以降低由于散热器与半导体激光器芯片热膨胀系数不匹配导致的较大热应力。 |
公开日期 | 2017-04-05 |
申请日期 | 2015-09-30 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65752] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴胜,王警卫,邢卓,等. 一种用于半导体激光器的金属键合方法及其半导体激光器. CN106558831A. 2017-04-05. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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