半導体発光素子並びに当該半導体発光素子を利用した発光装置、光学検知装置、光学情報処理装置及び光結合装置
文献类型：专利
| 作者 | 柳ケ瀬 雅司; 今本 浩史; 高橋 敏幸 |
| 发表日期 | 1996-02-02 |
| 专利号 | JP1996032111A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子並びに当該半導体発光素子を利用した発光装置、光学検知装置、光学情報処理装置及び光結合装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 薄い高抵抗層を設けることにより信頼性の高い発光効率のよい半導体発光素子を提供する。 【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaInP下クラッド層2、p--GaInP活性層3、p-AlGaInP上クラッド層4、下側のp-AlGaAs電流拡散層5、高抵抗層6、上側のp-AlGaAs電流拡散層5を順次結晶成長させる。このとき、高抵抗層6は、ドーパントをZnからMgに一時的に変えることにより形成できる。 【効果】 p側電極からの注入電流は、高抵抗層によって断面横方向に十分に拡散され、活性層のほぼ全域に注入される。高抵抗層は薄い層から作成されるので、発光素子の電気抵抗が大きくならず注入電流を大きくすることができる。また、薄い層であるので結晶性に優れた半導体層を形成できる。 |
| 公开日期 | 1996-02-02 |
| 申请日期 | 1994-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65762]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳ケ瀬 雅司,今本 浩史,高橋 敏幸. 半導体発光素子並びに当該半導体発光素子を利用した発光装置、光学検知装置、光学情報処理装置及び光結合装置. JP1996032111A. 1996-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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