歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西片 一昭; 入川 理徳 |
| 发表日期 | 1996-07-02 |
| 专利号 | JP1996172216A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 低しきい値,高速動作,高速変調の歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法を提供する。 【構成】 基板上にクラッド層、光閉じ込め層、歪量子井戸構造からなる活性層、光閉じ込め層およびクラッド層をこの順に順次エピタキシャル成長させて積層する工程を有する歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法において、活性層の成長温度をクラッド層および光閉じ込め層の成長温度よりも低くする。 |
| 公开日期 | 1996-07-02 |
| 申请日期 | 1994-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65764]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西片 一昭,入川 理徳. 歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法. JP1996172216A. 1996-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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