半導体レーザ装置及びその製造方法、光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 田村 聡之; 池戸 教夫 |
| 发表日期 | 2006-02-02 |
| 专利号 | JP2006032925A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法、光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】埋め込み型構造の半導体レーザ装置において、電流ブロック層の上に形成された半導体層の結晶性及び表面モフォロジーを向上させ、レーザ発振閾値電流が小さく且つ信頼性が高い半導体レーザ装置を実現できるようにする。 【解決手段】基板1の上に、バッファ層2と、n型クラッド層3と、n型ガイド層4と、多重量子井戸構造の活性層5と、第1のp型ガイド層6と、電流ブロック層7とが順次積層されている。電流ブロック層7は、n型のAl0.15Ga0.85N層8とn型のGaN層9とからなり、電流が流れるストライプ状の窓部20が形成されている。GaN層9の上には第2のp型ガイド層10と、p型クラッド層11と、p型コンタクト層12とが形成されている。p型コンタクト層12上にはNi系材料からなるp型電極13が形成され、基板1裏面にはTi系材料からなるn型電極14が形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-02-02 |
| 申请日期 | 2005-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65765]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田村 聡之,池戸 教夫. 半導体レーザ装置及びその製造方法、光ピックアップ装置. JP2006032925A. 2006-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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