III族窒化物半導体
文献类型：专利
| 作者 | 松原 邦雄 |
| 发表日期 | 1999-10-29 |
| 专利号 | JP1999297628A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体 |
| 英文摘要 | 【課題】(111)面方位のIV族半導体基板上にIII族元素の窒化物層をエピタキシャル成長し、良質のIII族窒化物半導体を得る。 【解決手段】(111)面方位のシリコン基板1上に、例えばMOCVD法によりAlx Ga1-x Asバッファ層2aを成長し、その上にn型GaNコンタクト層3などのIII族窒化物層をエピタキシャル成長する。特にAlx Ga1-x Asバッファ層2aのAl組成xを0.2以上とする。 |
| 公开日期 | 1999-10-29 |
| 申请日期 | 1998-04-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 邦雄. III族窒化物半導体. JP1999297628A. 1999-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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