半導体波長変換素子
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 信夫; 平山 雄三 |
| 发表日期 | 1996-09-17 |
| 专利号 | JP1996240820A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体波長変換素子 |
| 英文摘要 | 【目的】変換効率の高い半導体波長変換素子を提供すること。 【構成】進行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に利用した半導体波長変換素子であって、進行波型半導体レーザ増幅器の半導体光導波路2が、アンドープInGaAsP光導波層3、アンドープ歪InGaAs/歪AlAs量子井戸からなる歪量子井戸活性層4、InGaAsP光導波層5、p型InPクラッド層6が順次積層されてなり、歪量子井戸活性層4の伝導帯の第1のサブバンドと第2のサブバンドの吸収共鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器の利得波長と一致している。 |
| 公开日期 | 1996-09-17 |
| 申请日期 | 1995-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65797]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 信夫,平山 雄三. 半導体波長変換素子. JP1996240820A. 1996-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。