窒化物半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 田村 聡之 |
| 发表日期 | 2009-12-24 |
| 专利号 | JP2009302456A |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】発振閾値電流の変動を抑えた埋め込み型の半導体発光装置を実現できるようにする。 【解決手段】窒化物半導体発光装置は、基板11の上に形成され、順次積層されたn型クラッド層13、活性層15、電子障壁層16、電流狭窄層18及びp型クラッド層19を含み、電流狭窄層18の一部が除去されたストライプ状の電流注入部24を有する窒化物半導体の積層構造27を備えている。積層構造27は、電流注入部24の少なくとも一方の側方の領域に形成された凹部27aを有している。凹部27aの底面は、電子障壁層16の下面よりも上側に位置する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-24 |
| 申请日期 | 2008-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65798]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田村 聡之. 窒化物半導体発光装置. JP2009302456A. 2009-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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