半導体レ—ザダイオ—ドおよび製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三橋 豊; 田中 利夫; 花巻 吉彦 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196190A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザダイオ—ドおよび製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発振横モードの安定性がよくかつ信頼性が高くしかも簡単な構造で歩留まり良く製造できる半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 半導体基板上に、p型クラッド層とn型クラッド層の間に位置する量子井戸構造の活性層を含んでなり、共振方向に長手方向が一致するように形成されたメサ部を備えた半導体レーザダイオードであって、活性層のうちのメサ部の両側面近傍が無秩序化され、かつp型クラッド層及びn型クラッド層のうちのメサ部の両側面近傍が高抵抗化されている。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65800]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三橋 豊,田中 利夫,花巻 吉彦. 半導体レ—ザダイオ—ドおよび製造方法. JP2000196190A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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