半導体の製造方法及び半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 明彦; 伴 雄三郎; 原 義博; 上村 信行; 粂 雅博 |
| 发表日期 | 1998-03-17 |
| 专利号 | JP1998075018A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体の製造方法及び半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 高品質で且つ電気的特性及び光学的特性の優れた窒化ガリウム系半導体を製造できるようにする。 【解決手段】 まず、バッファードフッ酸にSiCよりなる半導体基板11を10分間浸して、該半導体基板11の表面の酸化膜をエッチング除去する。その後、MOVPE法を用いて、温度が1090℃で半導体基板11上に、TMAを10μモル/分、NH3を2.5L/分及びキャリア用水素を2L/分の割合で供給することにより、半導体基板11の主面に単結晶のAlNよりなり、厚さが15nmのバッファ層12を成長させる。次に、温度を800℃に下げ、TMAを0.2μモル/分、TMGを2μモル/分、TMIを20μモル/分及びNH3を5L/分の割合で供給することにより、バッファ層12の上にAlGaInNよりなる単結晶層13を成長させる。 |
| 公开日期 | 1998-03-17 |
| 申请日期 | 1997-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65804]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 明彦,伴 雄三郎,原 義博,等. 半導体の製造方法及び半導体発光素子. JP1998075018A. 1998-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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