半導体素子、半導体発光素子およびn型半導体の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉江 睦之 |
| 发表日期 | 2000-08-04 |
| 专利号 | JP2000216433A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子、半導体発光素子およびn型半導体の形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高い電子濃度を有するn型半導体層を備えた半導体素子および半導体発光素子を提供することである。 【解決手段】 GaN系半導体レーザ素子100は、サファイア基板11上に、低温バッファ層12、n-GaNコンタクト層13、高濃度n-GaN層14、高濃度n-Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層15、n-Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層16、n-GaN光ガイド層17、n-MQW発光層18、p-Al0.1 Ga0.9 N層19、p-GaN光ガイド層20、p-Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層21およびp-GaNコンタクト層22が順に積層されている。高濃度n-GaN層14および高濃度n-Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層15の電子濃度は1×1021cm-3である。 |
| 公开日期 | 2000-08-04 |
| 申请日期 | 1999-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65822]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉江 睦之. 半導体素子、半導体発光素子およびn型半導体の形成方法. JP2000216433A. 2000-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。