半導体光アイソレータ
文献类型：专利
| 作者 | 中村 隆宏 |
| 发表日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP1997129980A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光アイソレータ |
| 英文摘要 | 【目的】 光アイソレータの設計の余裕度を大きくする。 【構成】 n型InP基板12上にグレーティング13を形成し、その上にクラッド層14、平面導波路15、クラッド層16、クラッド層17を順次成長させる。その上に等価屈折率がチャンネル方向に沿って変化するチャンネル導波路11を選択成長させる。チャンネル導波路11の右側のエピタキシャル層をグレーティングを含めて除去し、埋め込み層18を形成する。チャンネル導波路の等価屈折率をチャンネル方向に沿って変化させる手法としては、図示されるように、膜厚を変化させる方法の外、チャンネル導波路を被覆するクラッド層の膜厚を変化させるようにしてもよい。 |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 申请日期 | 1995-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65830]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 隆宏. 半導体光アイソレータ. JP1997129980A. 1997-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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