ZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 西野 勇; 佐川 徹; 笛吹 克夫 |
| 发表日期 | 1997-08-15 |
| 专利号 | JP1997214062A |
| 著作权人 | DOWA MINING CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザー |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 青緑色〜青色で発光するZnSe系化合物半導体レーザの共振器ミラーを、通常の如く結晶のへき開を利用して作るには、特定の方位をもった単結晶基板を求め、この上に精密に制御された良質の単結晶薄膜を成長させることが必要だが、これらの技術は未完成で界面における格子欠陥も多く、たとえ作ってもレーザの寿命は短い。 【解決手段】 そこで方位に関係なく、平坦な単結晶基板上に積層した多層膜を共振器ミラーとして利用し、基板表面に垂直に発光する面発光レーザダイオードを作ることにより上記の課題を解決した。即ち、n-ZnSe基板2上にエピタクシーとエッチングの技術を駆使して、中央に小さな円盤状のZnCdSe活性層7を、その上方と下方に多層膜のミラー23と22を、またその周囲に光ガイド層9とブロック層10を、さらに上下の端面に電極18と12を形成してレーザを作る。この例では下方のミラー22を通して出力光を得ている。 |
| 公开日期 | 1997-08-15 |
| 申请日期 | 1996-01-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65835]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DOWA MINING CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西野 勇,佐川 徹,笛吹 克夫. ZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザー. JP1997214062A. 1997-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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