リッジ型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木村 達也 |
| 发表日期 | 1997-11-28 |
| 专利号 | JP1997307182A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流閉じ込めと光閉じ込めを別々に制御でき、かつリッジ部両側の残し厚部分に電流が広がるのを防止することにより、低しきい値化、高効率化が可能なリッジ型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 P-InP基板1上に、P-InPクラッド層2、活性層3およびリッジ型層(4、6)を順次積層し、リッジ型層が高抵抗領域であるFe-InP層4とこれに不純物を拡散またはイオン注入して形成されたリッジ部を構成する導電領域であるn-InP層6とからなる。 |
| 公开日期 | 1997-11-28 |
| 申请日期 | 1996-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65838]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 達也. リッジ型半導体レーザおよびその製造方法. JP1997307182A. 1997-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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