ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治; 中島 徹人; 堀川 英明; 八重樫 浩樹 |
| 发表日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP1997129966A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 端面光学損傷をなくし、高信頼性のウィンドウ構造半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法において、n-GaAs基板1上にメサを形成する工程と、前記基板1上にn-AlGaAsクラッド層2、活性層3、p-AlGaAsクラッド層4、p-GaAsコンタクト層5、n-AlGaAsクラッド層6を順次形成する工程と、メサの上部を活性層領域7、窪み部を窓領域8となし、この窪み部8をマスクして、活性層領域7上のp-GaAsコンタクト層5上のn-AlGaAsクラッド層6をエッチングする工程とを施し、活性層領域7のp-GaAsコンタクト層5を窓領域8で導波路層とする。 |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 申请日期 | 1995-11-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65865]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治,中島 徹人,堀川 英明,等. ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法. JP1997129966A. 1997-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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