자기발진형반도체레이저
文献类型：专利
| 作者 | HIRATA,SHOJI |
| 发表日期 | 1999-09-27 |
| 专利号 | KR1019990072352A |
| 著作权人 | 소니 주식회사 |
| 国家 | 韩国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 자기발진형반도체레이저 |
| 英文摘要 | 제조시 높은 수율을 가지며 고온 및 고 출력 동작시 안정한 자기 발진할 수 있는 자기 발진형 반도체 레이저에서, 안정한 발진을 발생시키기 위해, 전류는 활성층의 횡방향으로 확산되지 않도록 설계되고 넓은포화가능 흡수 영역은 광 스팟을 확산시키지 않도록 보호된다. 그러므로, 전류 협착층을 갖는 p형AlGaInP 클라드층의 두께 d는 예를 들어 d ≤ 400nm, 바람직하게는 d ≤ 350 nm가 되도록 설정되고, 스트라이프부에 대응하는 횡방향의 도파 부분 및 그의 양측에 대응하는 부분 간의 굴절율차 △n(=n1-n2)를연속적으로 발진을 발생시킬수 있는 0.001 및 0.003 사이의 작은 값으로 유지하기 위해서, n형 AlGaInP클라드층측 상의 가이드층의 두께는 p형 AlGaInP 클라드층 상의 가이드층의 것보다 더 두껍게 하여 SCH구조를 비대칭화한다. 도1 색인어 자기 발진형 반도체 레이저, 전류 협착층, 굴절율, 전류 확산, 광 잡음 억제 |
| 公开日期 | 1999-09-27 |
| 申请日期 | 1999-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65886]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 소니 주식회사 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HIRATA,SHOJI. 자기발진형반도체레이저. KR1019990072352A. 1999-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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