半導体光導波路構造及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪田 康隆 |
| 发表日期 | 2000-03-14 |
| 专利号 | JP2000075157A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光導波路構造及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 回折格子が部分的に形成された半導体基板あるいは半導体層上へ、選択MOVPE成長法によって直接形成された半導体光導波路において、回折格子形成領域上とそれ以外の領域上とにおいて導波路幅に不連続性がない半導体光導波路を採用し、低しきい値、高効率、超長距離伝送可能な電界吸収型光変調器集積DFBレーザを実現する。 【解決手段】 半導体基板上へ誘電体マスクをパターニングする場合、回折格子が形成されている領域ではフォトレジストの密着性が弱いためにサイドエッチングが大きく、部分回折格子境界部でマスク幅や開口幅に不連続性が発生するので、回折格子形成領域及びそれ以外の領域におけるサイドエッチング量の差を補正するように、フォトレジストマスク幅、開口幅を回折格子形成領域とそれ以外の領域とで異なるものとする。 |
| 公开日期 | 2000-03-14 |
| 申请日期 | 1998-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪田 康隆. 半導体光導波路構造及びその製造方法. JP2000075157A. 2000-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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