半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 野澤 博; 佐々木 徹; 柴田 知尋; 天明 二郎 |
| 发表日期 | 2000-08-15 |
| 专利号 | JP2000228560A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 低コストで簡単に作製できるウインドウ構造を有する半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 エッチングにより共振器端面12cを作製し、共振器12の活性層12bよりも広いバンドギャップを有する半導体層である側壁エピタキシャル成長層13を当該共振器端面12cに側壁エピタキシャル成長させて作製した後に、共振器端面12cよりも外側位置で基板11を劈開やダイシング等により分割して当該基板11のチップ端面11aよりも内側に共振器端面12cを位置させるようにした。 |
| 公开日期 | 2000-08-15 |
| 申请日期 | 1999-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65891]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野澤 博,佐々木 徹,柴田 知尋,等. 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法. JP2000228560A. 2000-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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