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2次元半導体光結晶素子およびその製造方法

文献类型:专利

作者納富 雅也; 児玉 聡
发表日期2000-08-22
专利号JP2000232258A
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名2次元半導体光結晶素子およびその製造方法
英文摘要【課題】 作製を容易にし、また材料が限定されなくする。 【解決手段】 GaAsからなりかつ周期的な垂直な穴17を有するすなわち2次元周期構造を有する半導体光結晶層13と表面にSiO2からなる低屈折率誘電体層14を有しかつGaAsからなる基板15とからなり、半導体光結晶層13と低屈折率誘電体層14とが平面接触されている。
公开日期2000-08-22
申请日期1999-02-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65910]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
納富 雅也,児玉 聡. 2次元半導体光結晶素子およびその製造方法. JP2000232258A. 2000-08-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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