面発光半導体レーザとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大坪 孝二 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236865A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 面発光半導体レーザとその製造方法に関し、電極の形成が容易で、簡単な方法によって電流狭窄構造を形成することができる垂直共振器型の面発光半導体レーザとその製造方法を提供する。 【構成】 n-GaAs基板1の上に、n-GaAs層21 とn-InGaP層22 からなるn型多層膜反射鏡2を形成し、このn型多層膜反射鏡2の上にエッチングマスクを形成し、このマスクを用いてn型多層膜反射鏡を構成するn-GaAs層21 、n-InGaP層22 の1層以上をエッチングしてメサ構造を形成し、このメサ構造の頂上以外の表面にp型の不純物を拡散して電流狭窄層4を形成し、このマスクを除去した後、このメサ構造の上にn-AlGaAsクラッド層51 、ノンドープの活性層6、p-AlGaAsクラッド層72 、p-GaAs層81 とp-AlAs層82 からなるp型半導体多層膜反射鏡8を積層して面発光半導体レーザを製造する。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65913]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大坪 孝二. 面発光半導体レーザとその製造方法. JP1996236865A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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