半導体レーザー及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浜本 貴一 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP2000323782A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来の基本モード半導体レーザーに比べて高い出力を達成でき、かつ、安定して良好な光出力フィールドを提供し得る半導体レーザーを提供する。 【解決手段】 主励起光領域が幅の広い多モード導波路2から構成されており、その光出射端には基本モード導波路1が接続されている。基本モード導波路1の光出射端には、放射光を除去する凹部32が形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-11-24 |
| 申请日期 | 1999-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65914]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浜本 貴一. 半導体レーザー及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法. JP2000323782A. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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