中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半導体光制御素子およびその製造方法

文献类型:专利

作者小松 啓郎
发表日期1993-01-29
专利号JP1993021904A
著作权人日本電気株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光制御素子およびその製造方法
英文摘要【目的】 再現性良く、歩留り良く製造することができる、低損失で、かつ微細な光導波型の半導体光制御素子を提供する。 【構成】 半導体導波型光制御素子を製作する際に、半導体をエッチングしてリッジを形成するのではなく、平坦なダブルヘテロ結晶上に誘電体をマスクとして選択的にリッジ131を成長する。このとき、リッジ側面130も平滑な結晶面とすることができるので、散乱損失の無い超低損失な導波型光制御デバイスを実現できる。しかも、この製造方法においては、半導体のエッチングは不要であり、エッチングを行うのは薄い誘電体膜のみであるので、微細な導波型半導体光制御デバイスを再現性良く、広い面積にわたって製造することができ、集積化や量産化に適する。
公开日期1993-01-29
申请日期1991-07-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65926]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電気株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
小松 啓郎. 半導体光制御素子およびその製造方法. JP1993021904A. 1993-01-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。