光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム
文献类型：专利
| 作者 | 比留間 健之; 百瀬 正之; 浜田 博 |
| 发表日期 | 1999-09-24 |
| 专利号 | JP1999261165A |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザなど発光素子の光出力端面の破壊レベルを向上させ、高出力化に適した構造にするための複雑な製造工程を簡略化する。 【解決手段】 ヘテロ接合を混晶化させるための不純物を含む膜を基板上に形成せず、AlGaInP/InGaPヘテロ接合量子井戸薄膜を含む構造をレーザ光により、局所的に直接加熱溶融させてエネルギーバンドギャップの大きい混晶部を形成する。この混晶部を半導体レーザ素子の両面の出射面部分に設ける。 【効果】 半導体レーザ素子の製造工程短縮、簡略化により、製造歩留まりが向上する。 |
| 公开日期 | 1999-09-24 |
| 申请日期 | 1998-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65947]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 比留間 健之,百瀬 正之,浜田 博. 光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム. JP1999261165A. 1999-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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