半導体レーザー素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲吉▼田 隆; 斉藤 芳人; 大塚 茂樹; 宗像 務 |
| 发表日期 | 1993-07-30 |
| 专利号 | JP1993190975A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、主として(実施例として)単一モード発振ができる半導体レーザー素子を形成するに当たって、クラッド層と電流ブロック層の下層とがつながることによる電流漏れを除去するとともに、活性層、導波層の幅を制御し易くすることを目的とするものである。 【構成】 前記目的のために本発明は、表面に回折格子を形成した基板4上に、導波層3、活性層2、クラッド層1を形成し、その上にSiO2 膜5を形成してそれをストライプ状にパターニングして、そのパターンをマスクにしてクラッド層1をメサ状にエッチングし、前記導波層3、活性層2を所定幅にエッチングした後、基板4も含めて全体をメサ形にエッチングして、そのメサ形構造の外側にブロック層の下層6、上層7を形成するようにしたものである。このときそのブロック層の下層6は導波層の下までしか形成されない。 |
| 公开日期 | 1993-07-30 |
| 申请日期 | 1992-01-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65949]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲吉▼田 隆,斉藤 芳人,大塚 茂樹,等. 半導体レーザー素子およびその製造方法. JP1993190975A. 1993-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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