半導体発光素子及びその製造方法、光学検知装置、光学的情報処理装置、投光器並びに光ファイバモジュール
文献类型：专利
| 作者 | 速水 一行 |
| 发表日期 | 1994-10-18 |
| 专利号 | JP1994291365A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法、光学検知装置、光学的情報処理装置、投光器並びに光ファイバモジュール |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄構造と半導体多層反射膜層を有する半導体発光素子において、多層反射膜層に起因する素子抵抗を低減する。 【構成】 p-GaAs基板1の上方にp型の多層反射膜層2、p-AlGaAs活性層4、n-AlGaAs上クラッド層5などをエピタキシャル成長させる。この後、キャップ層6上のAZレジスト被膜7をマスクとして多層反射膜層2にBeイオンを打込み、当該イオン打込み領域8で多層反射膜層2を低抵抗化し、素子抵抗を低減させる。また、同じAZレジスト被膜7をマスクとし、上クラッド層5中にBeイオンを打込み、当該イオン打込み領域9で電流阻止領域(pn接合面)を形成すると共にイオン打込み領域9で囲まれた領域を電流通路領域10とし、電流狭窄構造を構成する。 |
| 公开日期 | 1994-10-18 |
| 申请日期 | 1993-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65962]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 速水 一行. 半導体発光素子及びその製造方法、光学検知装置、光学的情報処理装置、投光器並びに光ファイバモジュール. JP1994291365A. 1994-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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