光情報処理装置およびこれに適した半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 川中 敏; 百瀬 正之 |
| 发表日期 | 1998-10-09 |
| 专利号 | JP1998270791A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光情報処理装置およびこれに適した半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光源よりの光の利用効率の高い光情報処理装置を提供する。高出力な半導体レーザ装置を提供する。高温雰囲気においても高出力の維持が可能とせしむる。更に、円形の光束を有する半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 光情報処理装置の光源を略円形の光束を有する光源となす。半導体レーザ装置の共振器として、共振器の内部では禁制帯幅を小さくしかつ共振器の端面部では禁制帯幅を大きくした歪補償された多重量子井戸構造の活性層領域を有せしめる。共振器内部と共振器端面部の導波を複素屈折率導波より実屈折率の導波に緩やかに変化せしめる。 【効果】 レーザ光の利用効率を従来の2倍以上に改善する。更に、ビーム整型のためのレンズを簡略化した光学系を有した光情報処理装置の実現がはかれる。半導体レーザ装置の高い雰囲気温度にて、高出力且つ長寿命を図り得る。例えば、具体的例として端面破壊レベルを従来より2倍以上に向上できる。同時に、円形状に近いビーム形状を導波することが可能となった。 |
| 公开日期 | 1998-10-09 |
| 申请日期 | 1997-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65966]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,川中 敏,百瀬 正之. 光情報処理装置およびこれに適した半導体発光装置. JP1998270791A. 1998-10-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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