半導体レ—ザおよび半導体レ—ザの形成方法
文献类型：专利
| 作者 | ヨン·チェン; シー·ヤン·ワン |
| 发表日期 | 2000-03-14 |
| 专利号 | JP2000077770A |
| 著作权人 | ヒューレット·パッカード·カンパニー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザおよび半導体レ—ザの形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】端面ミラーの形成が容易な端面発光半導体レーザ。 【解決手段】半導体レーザには、第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第1の層[52]と;第1の層[52]に接して開口部を備え、前記III-V族半導体材料が核化しない材料からなるマスク[54]と;前記開口部の下方の第1の層の一部から成長し、前記マスク上に延びる、第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第2の層[61]と;第2の層[61]の上に重畳する、前記第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第1のクラッド層[63]と;その上の活性層[64]と;前記第1の層とは逆のタイプのIII-V族半導体材料からなる、活性層上の第2のクラッド層[65]と;前記逆のタイプのIII-V族半導体材料からなり、第2のクラッド層上で結晶層を構成しその2つのファセットが、端面ミラーを形成する、第3の層[66]とが含まれている。 |
| 公开日期 | 2000-03-14 |
| 申请日期 | 1999-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65970]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ヒューレット·パッカード·カンパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ヨン·チェン,シー·ヤン·ワン. 半導体レ—ザおよび半導体レ—ザの形成方法. JP2000077770A. 2000-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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