面型光半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 黒田 文彦 |
| 发表日期 | 1998-04-14 |
| 专利号 | JP1998098236A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面型光半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】発熱が小さく特性の優れた面発光半導体装置を提供する。 【解決手段】n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2,n型DBR層3,n型クラッド層4が積層されている。n型クラッド層4上にi型GaAs活性層5を介してp型クラッド層6が形成されている。p型クラッド層6上にp型DBR層7が形成されている。そして、上記構造は、レーザが放射される円柱状の活性領域8と、表面から水素イオンが選択的に注入され、活性層5付近の絶縁化をはかった高抵抗化領域9とからなる。そして、高抵抗化領域8の表面に陽極電極10が形成され、n型GaAs基板1下面に陰極電極11が形成されている。 |
| 公开日期 | 1998-04-14 |
| 申请日期 | 1996-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65983]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 文彦. 面型光半導体素子及びその製造方法. JP1998098236A. 1998-04-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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