変調器集積化半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治; 山内 義則; 大柴 小枝子; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087839A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 変調器集積化半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性領域のグレーティングがダメージを受けるのを抑制する。 【解決手段】 グレーティング12上のうちの活性領域14に、当該活性領域14を覆うマストランスポート用マスク18と、互いに一定距離だけ離間した一対の予備選択成長用マスク20とを順次に形成して積層体22を形成する。次に、変調器領域16に露出しているグレーティング12の凹凸をマストランスポートにより平坦化する。次に、積層体22に対してエッチングを行なって当該積層体22を部分的に除去することにより、当該積層体22の残存部分を以って、一対の予備選択成長用マスク18を形成した領域に、当該予備選択成長用マスク18と同じ平面パタン形状を有する一対の選択成長用マスク26を形成する。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65984]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治,山内 義則,大柴 小枝子,等. 変調器集積化半導体レーザの製造方法. JP1999087839A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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