波長安定化半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 沼居 貴陽 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223785A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 波長安定化半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【課題】共振器長或は導波路の等価屈折率を安定的にする為に導入される層を1種類或は数少ない種類の材料だけを用いて構成し、温度変動に対して波長変化が小さい半導体レーザーである。 【解決手段】屈折率の温度係数が正の半導体層23を持つ領域と、屈折率の温度係数が負の半導体層31を持つ領域が半導体レーザーの光共振器の軸方向にほぼ直列的に配置され、光共振器の光学長或は導波路の等価屈折率が温度変化に対してほぼ一定である様に半導体レーザーが構成されている。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65985]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沼居 貴陽. 波長安定化半導体レーザー. JP2000223785A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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