発光材料および発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 伴 雄三郎; 上野山 雄; 森 義弘; 高橋 康仁; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993082837A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光材料および発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 直接遷移型へ変移可能な間接遷移型化合物半導体の超格子構造における光学的遷移の振動子強度を大きくして、発光強度を増加させる。また、それをデバイスへ応用して、短波長発光素子を提供する。 【構成】 直接遷移型へ変移可能な間接遷移型化合物半導体の超格子構造が(111)面半導体基板上に形成されていることを特徴とする発光材料。また、ダブルヘテロ構造のクラッド層および活性層が共に直接遷移型へ変移可能な間接遷移型化合物半導体の超格子構造からなり、前記超格子構造が(111)面半導体基板上に形成され、かつ前記活性層における超格子構造の井戸層膜厚および障壁層の層厚が前記クラッド層における超格子構造の井戸層膜厚および障壁層の層厚とそれぞれ異なることを特徴とする発光素子。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1991-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65987]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伴 雄三郎,上野山 雄,森 義弘,等. 発光材料および発光素子. JP1993082837A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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