半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム
文献类型：专利
| 作者 | 中原 宏治; 豊中 隆司; 芳賀 徹; 谷渡 剛; 魚見 和久 |
| 发表日期 | 1999-06-02 |
| 专利号 | JP1999150322A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム |
| 英文摘要 | 【課題】n型にドープされた多重量子井戸活性層を有する半導体レーザにおいて、伝送帯側のキャリアオーバーフローを抑制し、n型変調ドープの効果を最大限に発揮し、発振遅延時間が小さな半導体レーザを提供する。 【解決手段】量子井戸活性層を有する半導体レーザの障壁層101を04μm以上でかつ09μm 以下の組成波長とし、ガイド層103,104を03μm以上、06μm以下の組成波長とする。 |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 申请日期 | 1997-11-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65994]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原 宏治,豊中 隆司,芳賀 徹,等. 半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム. JP1999150322A. 1999-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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