半導体光導波路およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲浜▼本 貴一 |
| 发表日期 | 1995-07-14 |
| 专利号 | JP1995174931A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光導波路およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】 InP基板1上にInGaAspガイド層2、InP第1クラッド層3、InP埋め込み兼クラッド層4を形成し、ガイド層2の幅及び高さが導波方向でテーパー形状であり、かつ、埋め込み兼クラッド層4の幅が導波方向でテーパー形状であり、一方の端面では埋め込み構造、他方の端面ではリッジ構造である。 【効果】 リッジ構造半導体光デバイスと光ファイバーまた埋め込み構造半導体光デバイスとの結合効率を改善する。また、選択成長技術を用いてガイド層·クラッド層を形成しており、エッチング工程を含まないため、プラズマダメージや側壁荒れによる散乱損失を抑制することができ、また、MO-CVD選択成長技術によってガイド層を作製しているため、所望のテーパー形状の幅·高さを再現性良く実現でき、歩留まりが良く、集積に適している。 |
| 公开日期 | 1995-07-14 |
| 申请日期 | 1993-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66002]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲浜▼本 貴一. 半導体光導波路およびその製造方法. JP1995174931A. 1995-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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