多重量子井戸構造半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山田 博仁 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996125263A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】高温時において特性が劣化する従来の長波長系半導体レーザの欠点を解決し、優れた温度特性を有すると共に高温時においても低閾値、低駆動電流で動作可能な3μmまたは55μm半導体レーザを提供することにある。 【構成】InP基板上に多重量子井戸構造の活性層を形成する半導体レーザにおいて、該半導体レーザの活性層が、少なくとも、InGaAsあるいはInGaAsP系の半導体材料からなるウエルと、AlInGaAsPであり、残りの部分はInGaAsP系半導体材料からなるSCH層からなる多重量子井戸構造からなることを特徴とする。 【効果】AlInGaAsP半導体材料をバリヤに用いることにより、高温時に電子がバリヤへ溢れるのを防止し、温度特性の良好な半導体レーザが得られる。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1994-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66007]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 博仁. 多重量子井戸構造半導体レーザ. JP1996125263A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。