半導体光機能素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小松 啓郎 |
| 发表日期 | 1994-04-22 |
| 专利号 | JP1994112595A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光機能素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 超高速変調が可能な光変調器及び光検出器が歩留まり良く得られる製造方法を提供する。 【構成】 光変調器及び光検出器を製作する際に高抵抗基板を用い、更にPIN構造光導波路を高抵抗層で埋め込むことにより、変調器及び光検出器の実際の動作とは無関係な部分の容量を極力下げて素子全体の容量を低減する。選択的な結晶成長により高抵抗ブロック層及び光吸収層を含むメサストライプを形成する。半導体のメサエッチングは不要であり、素子の製作精度は選択的結晶成長を行う際の誘電体マスクの加工精度により決定される。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66013]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小松 啓郎. 半導体光機能素子の製造方法. JP1994112595A. 1994-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。