リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山内 義則; 堀川 英明; 後藤 修; 八重樫 浩樹 |
| 发表日期 | 1997-01-28 |
| 专利号 | JP1997027656A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 閾電流値が低く、発光効率が高いリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 n-InP基板11上にSiO2 マスク12を形成し、エッチングを行いメサストライプ11Aを形成する。そのメサストライプ11Aの両側に、高抵抗層13を埋め込み成長により、素子を平坦にする。次に、SiO2 マスク12を除去した後、n-InPクラッド層14と、活性層15と、p-InPクラッド層16と、p-InGaAsPコンタクト層17を順次成長させる。次に、SiO2 ストライプマスクを形成し、エッチングによりリッジ18を形成する。次に、SiO2 絶縁膜19を全面に形成後、リッジ18の上部にのみ窓19Aを形成し、p側電極20を形成する。n-InP基板11側にはn側電極21を形成する。このようにして、リッジウェイブガイド半導体レーザの活性層15の下に高抵抗電流ブロック層を導入する。 |
| 公开日期 | 1997-01-28 |
| 申请日期 | 1995-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66020]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山内 義則,堀川 英明,後藤 修,等. リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法. JP1997027656A. 1997-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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