第二次高調波発生半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 梶川 靖友 |
| 发表日期 | 1997-11-28 |
| 专利号 | JP1997307187A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 第二次高調波発生半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 基本波のレージングの閾値電流密度や微分効率が通常の半導体レーザと同等であるような第二次高調波放射領域を持つ半導体レーザを提供する。 【解決手段】 有機金属気相成長法の選択成長技術を利用し、第二次高調波放射領域12の量子井戸活性層4の厚さを10nm、利得領域11の量子井戸活性層4の厚さを20nmになるように形成することにより、第二次高調波放射領域12の量子井戸活性層4の実効的エネルギーバンドギャップが利得領域11のそれよりも大きくなるため、利得領域11で発生する基本波に対し、第二次高調波放射領域12では吸収がない。このため、基本波のレージングの閾値電流密度が通常の半導体レーザに比べて大きくなることなく、基本波の微分効率が低下しない第二次高調波発生半導体レーザが得られる。 |
| 公开日期 | 1997-11-28 |
| 申请日期 | 1996-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66030]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梶川 靖友. 第二次高調波発生半導体レーザ. JP1997307187A. 1997-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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