埋込ヘテロ構造半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 勝彦 |
| 发表日期 | 1993-05-25 |
| 专利号 | JP1993129723A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋込ヘテロ構造半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 埋込ヘテロ構造の半導体レーザにおいて、n型ブロック層がn型クラッド層とつながることによるリーク電流、及び、高温にさらされた界面に形成されるpn接合の劣化によるリーク電流をなくし、リーク電流が少なく信頼性の高いレーザを得る。 【構成】 p型基板1上にp型バッファ層2,活性層3,n型クラッド層4からなるメサの側面にp型領域を形成した後、p型埋込層5,n型ブロック層6,p型ブロック層7を埋込成長する。 |
| 公开日期 | 1993-05-25 |
| 申请日期 | 1991-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66032]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 勝彦. 埋込ヘテロ構造半導体レーザ及びその製造方法. JP1993129723A. 1993-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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