Semiconducteur laser amplifier
文献类型：专利
| 作者 | GEN-EI, KOICHI, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV. |
| 发表日期 | 1992-06-03 |
| 专利号 | EP0477842A3 |
| 著作权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 国家 | 欧洲专利局 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconducteur laser amplifier |
| 英文摘要 | A semiconductor laser amplifier according to this invention has an optical waveguide layer (16) containing a p-type semiconductor layer (64) in an n-type semiconductor substrate (60, 70). On one end of the n-type semiconductor substrate (60, 70), for example, a reflective film (15) is formed as light-reflecting means. In this invention, two optical waveguide layers (16A, 16B) are arranged so as to form a V with these two layers (16A, 16B) meeting each other at one end, on which the reflective film (15) is formed, of the substrate (60, 70). |
| 公开日期 | 1992-06-03 |
| 申请日期 | 1991-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66044]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | GEN-EI, KOICHI, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV.. Semiconducteur laser amplifier. EP0477842A3. 1992-06-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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