埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 賀勢 裕之 |
| 发表日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP1997129963A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ埋め込み型の半導体レーザを製造する際に、リッジの上側を構成する半導体層において充分なサイドエッチング量を達成できない。
【解決手段】 リッジ22の上側を構成するp-GaAsキャップ層7の厚さc(μm)が、リッジ22の下端部の幅W(μm),リッジ22の傾斜角α,β(°),リッジ22の下側を構成するp-Ga0.5 In0.5 Pコンタクト層6及びp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層5の合計の厚さh(μm)に対して、0.4≦c |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 申请日期 | 1995-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66050]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 賀勢 裕之. 埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法. JP1997129963A. 1997-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。