量子井戸光素子
文献类型：专利
| 作者 | 坂野 伸治 |
| 发表日期 | 1994-05-31 |
| 专利号 | JP1994152050A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸光素子 |
| 英文摘要 | 【構成】半導体レーザの活性層や光変調器の光吸収層に用いる量子井戸の障壁層に圧縮歪を用いた構造にする。この時、伝導帯1の電子11に対する障壁層の高さは無歪の障壁層を用いた場合に比べ、ΔEcだけ高くなる。価電子帯2の正孔12に対する障壁層の高さはΔEvhだけ低くなる。 【効果】本発明によれば電子の量子サイズ効果が高まり、正孔の注入および引き抜きが容易にできるため、レーザの高速変調及び変調器の低電圧駆動を可能とする。 |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 申请日期 | 1992-11-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66095]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坂野 伸治. 量子井戸光素子. JP1994152050A. 1994-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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