半導体レーザ埋め込み構造
文献类型：专利
| 作者 | 岩田 普 |
| 发表日期 | 1995-08-04 |
| 专利号 | JP1995202312A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ埋め込み構造 |
| 英文摘要 | 【目的】 タイプ2である半導体材料を用いた半導体レーザの埋め込み構造を提供する。 【構成】 電子が多数キャリアーであるn領域11に隣接して第1埋め込み層7および第2埋め込み層8を形成した。光ガイド層5、n型クラッド層6、第1埋め込み層7、第2埋め込み層8のバンドラインナップはタイプ2である。第1埋め込み層7は、n型クラッド層6と光ガイド層5に比べ、伝導帯端の位置が高いため電子を有効に閉じ込める。第2埋め込み層8の屈折率がn型クラッド層6よりも2%小さく、n領域11を平均した有効屈折率よりも小さいため光を閉じ込めることができる。 |
| 公开日期 | 1995-08-04 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66098]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩田 普. 半導体レーザ埋め込み構造. JP1995202312A. 1995-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。